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光通信 半極性材料


                         

半極性材料(GaN)


r面-與極軸既不垂直也不平行,薄膜為半極性材料

中文全稱
半極性材料
英文全稱
半極性材料
簡稱
半極性GaN

由于體材料的生長非常困難,目前GaN基材料主要都是通過異質外延生長得到的,由于價格的優勢,藍寶石是最常用的襯底。


絕大多數的GaN基材料都是極性的c面外延片。在電子器件的運用上,正是需要其沿著C軸方向的極化效應產生的二維電子氣。但是在光電器件的運用中,極化效應會引起內建電場,使得能帶彎曲、傾斜、能級位置發生改變。而且較強的極化電場還會使正負載流子在空間上分離,電子與空穴波函數的交迭變小,從而使材料的發光效率大大降低。要避免極化效應,提高發光效率的最根本方法就是生長非極性的材料,所以除了適合于電子器件的常規C面GaN之外,生長非極性的材料也是這一領域的一個熱點。而半極性GaN材料,和極性材料相比量子限制斯塔克效應可以降低80%,和非極性材料相比有更大的生長工藝窗口,也具有非常重要的研究意義

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